Chinesische Forscher erzielen Durchbruch bei der Speicherdichte durch neuartige ferroelektrische Materialien

Chinesische Forscher haben kürzlich einen Durchbruch bei ferroelektrischen Materialien erzielt, der eine drastische Steigerung der Datenspeicherdichte verspricht. Ihre Ergebnisse wurden am Freitag in der Fachzeitschrift „Science“ veröffentlicht.

Das Forschungsteam des Instituts für Physik der Chinesischen Akademie der Wissenschaften identifizierte erfolgreich eindimensionale geladene Domänenwände in einem ferroelektrischen Material mit Fluorit-Struktur.

Diese Wände sind sehr klein: Ihre Dicke und Breite betragen nur wenige Hunderttausendstel des Durchmessers eines menschlichen Haares. Diese Entdeckung liefert eine wichtige wissenschaftliche Grundlage für die Entwicklung von Geräten der nächsten Generation mit ultrahoher Speicherdichte.

Ferroelektrische Materialien sind entscheidend für zukünftige Technologien in Bereichen wie Datenspeicherung, Sensorik und künstliche Intelligenz. Die Speicherung von Informationen in diesen eindimensionalen Domänenwänden könnte die Speicherdichte um das mehrere Hundertfache erhöhen.

Das theoretische Limit wird auf etwa 20 Terabyte pro Quadratzentimeter geschätzt. Dies entspricht der Speicherkapazität von 10.000 hochauflösenden Filmen oder 200.000 hochauflösenden Kurzvideos auf einem Gerät, das nicht größer als eine Briefmarke ist.