Chinesische Wissenschaftler stellen schnellsten Flash-Speicher der Welt vor

Ein chinesisches Forscherteam hat ein revolutionäres Flash-Speichergerät entwickelt, das Daten mit einer Geschwindigkeit von einem Bit pro 400 Pikosekunden speichern kann und damit einen neuen Rekord für das schnellste Halbleiterspeichergerät aller Zeiten aufstellt.

Dieser nichtflüchtige Speicher mit dem Namen „PoX“ übertrifft selbst die schnellsten flüchtigen Speichertechnologien, die etwa eine bis zehn Nanosekunden für die Speicherung eines Datenbits benötigen. Eine Pikosekunde ist ein Tausendstel einer Nanosekunde oder ein Billionstel einer Sekunde.

Flüchtige Speicher wie SRAM und DRAM, die bei Stromausfall Daten verlieren, sind für Systeme mit geringem Stromverbrauch schlecht geeignet. Dagegen sind nichtflüchtige Speicher wie Flash zwar energieeffizient, werden aber den Anforderungen der KI an den schnellen Datenzugriff nicht gerecht.

Forscher der Fudan-Universität entwickelten einen zweidimensionalen Dirac-Graphen-Kanal-Flash-Speicher mit einem innovativen Mechanismus, der die Geschwindigkeitsgrenzen der nichtflüchtigen Datenspeicherung und des Datenzugriffs sprengt.

Die Ergebnisse wurden am Mittwoch in der Zeitschrift „Nature“ veröffentlicht.

„Durch den Einsatz von KI-Algorithmen zur Optimierung der Prozesstestbedingungen haben wir diese Innovation erheblich vorangebracht und den Weg für künftige Anwendungen geebnet“, sagte Zhou Peng, leitende Forscher der Studie von der Fudan-Universität.

„Dies ist eine originelle Arbeit, und die Neuartigkeit ist ausreichend für die Entwicklung potenzieller zukünftiger Hochgeschwindigkeits-Flash-Speicher“, kommentierte der Gutachter der Zeitschrift.